在“碳达峰碳中和”大背景下 ，电气化发展和电能的高效利用成为全球能源变革的重要发展方向。作为宽禁带半导体材料的代表 ，碳化硅衬底材料凭借其独特的物理特性，在多个下游领域中通过降低电能转换损耗、提高能量转换效率，达到减排增效的效果 。
据测算 ，一颗碳化硅芯片在整个生命周期内可以节省一吨二氧化碳当量 。目前 ，碳化硅衬底材料和器件凭借其减排增效的特性，已经在新能源汽车领域展现了强劲的市场需求。在相同规格的条件下 ，碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比 ，其尺寸可以大幅减小至原来的1/10，导通电阻也至少降低至原来的1/100。这导致碳化硅基MOSFET相较于硅基IGBT总能量损耗降低70%以上 ，相比使用硅半导体可以提高10%续航里程 ，从而节省大量电能，减少二氧化碳排放 。
此外 ，碳化硅器件优异的物理性能还在轨道交通 、新能源发电 、储能、智能电网等实现“碳达峰碳中和 ”的重要手段中发挥作用 ，从发电、传输 、存储 、负载全方位提升能源使用效率，助力绿色低碳发展 。例如 ，碳化硅芯片用在太阳能发电的逆变器上 ，比用硅基芯片功率密度提高3倍、体积减小40%-60%，损耗降低50%以上。随着碳化硅技术应用普及，其节能减排潜力将进一步释放 ，成为实现“双碳 ”目标的关键技术之一 。
2023年12月 ，山东天岳先进科技股份有限公司成功入选中国工业碳达峰“领跑者”企业称号 。天岳先进作为我国碳化硅半导体材料行业的领军企业，自主攻克了碳化硅晶体生长 、衬底加工等一系列国际难题 ，掌握碳化硅衬底材料产业化核心关键技术。在上海SEMICON China 2025大会上 ，天岳先进发布了12英寸全系列碳化硅衬底，包括12英寸高纯半绝缘型 、导电n型和导电p型碳化硅衬底 。
碳化硅作为新一代低碳、绿色 、节能的半导体材料 ，大尺寸新时代的到来 ，将进一步提升碳化硅对可持续发展的贡献，为绿色低碳发展注入新动力 。
